NJD2873T4G, 100nA 50V 15W 120@500mA,2V 2A 65MHz 300mV@1A,50mA NPN -65°C~+175°C@(Tj) TO-252-2 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJD2873T4G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.47 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.3 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 2 A |
| dc collector/base gain hfe min | 120 |
| eccn (us) | ear99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 2500 |
| gain bandwidth product ft | 65 MHz |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Gull-wing |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2@0.05A@1A |
| maximum collector base voltage | 50 V dc |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@0.05A@1A |
| maximum collector emitter voltage | 50 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum dc collector current | 2 A |
| maximum dc collector current (a) | 2 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 10 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation | 15 W |
| maximum power dissipation (mw) | 1680 |
| maximum transition frequency (mhz) | 65(Min) |
| military | No |
| minimum dc current gain | 120@0.5A@2V|40@2A@2V |
| minimum operating temperature | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | surface mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-252-3 |
| package height | 2.38(Max) |
| package length | 6.73(Max) |
| package type | DPAK(TO-252) |
| package width | 6.22(Max) |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8017611663 |
| part status | active |
| pcb changed | 2 |
| pd - power dissipation | 15 W |
| pin count | 3 |
| product category | Bipolar Power |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| series | NJD2873 |
| standard package name | TO-252 |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| Время загрузки | 0:52:39 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
