NJD1718T4G, Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJD1718T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJD1718T4G, Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.351
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
56
+
Бонус: 1.12 !
Бонусная программа
Итого: 56
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.351
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@0.05A@1A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@0.05A@1A
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current (a)2
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1680
maximum transition frequency (mhz)80(Typ)
minimum dc current gain70@0.5A@2V|40@1.5A@2V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8001289438
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typePNP
Время загрузки1:27:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль