NHUMB10F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia NHUMB10F
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 80 В 100 мА 150 МГц 350 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberNHUMB10 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер8006619731
power - max350mW
resistor - base (r1)2.2kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device package6-TSSOP
transistor type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки22:57:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль