NHDTC123JTVL, 100@10mA,5V 1 NPN - Pre BIased 250mW 100mA 80V TO-236AB DIgItal TransIstors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NHDTC123JTVL
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia NHDTC123JTVL, 100@10mA,5V 1 NPN - Pre BIased ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 80 В 100 мА 170 МГц 250 мВт Поверхностный монтаж TO-236AB
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberNHDTC123 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition170MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8020513507
power - max250mW
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки15:14:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль