NHDTA114EUF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 80 В 100 мА 150 МГц 235 мВт SC-70 для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberNHDTA114 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)100mA
61
+
Бонус: 1.22 !
Бонусная программа
Итого: 61
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 80 В 100 мА 150 МГц 235 мВт SC-70 для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberNHDTA114 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
htsus8541.21.0095
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
power - max235mW
resistor - base (r1)10 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageSC-70
transistor typePNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль