NCV1413BDR2G
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы Дарлингтона High Voltage High Current Darlington
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.638 |
| Высота | 1.5 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | Yes |
| configuration | Array 7 |
| dc ток коллектора | 500мА |
| dc усиление тока hfe | 1000hFE |
| длина | 10 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| количество выводов | 16вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |
| конфигурация | Array 7 |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 125 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| maximum base current (a) | 0.025 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1.3 350uA 200mA|1.6 500uA 350mA|1.1 250uA 100mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum continuous dc collector current (a) | 0.5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 30 |
| maximum operating temperature (°c) | 125 |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| minimum dc current gain | 1000 350mA 2V |
| minimum dc current gain range | 500 to 3600 |
| minimum operating temperature (°c) | -40 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение коллектор-эмиттер | 50В |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| number of elements per chip | 7 |
| operating junction temperature (°c) | 150 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8024049008 |
| part status | Active |
| pcb changed | 16 |
| pin count | 16 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | Yes |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| серия | NCV1413 |
| standard package name | SOP |
| стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
| стиль корпуса транзистора | SOIC |
| supplier package | SOIC |
| supplier temperature grade | Automotive |
| тип продукта | Darlington Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOIC-16 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:27:30 |
| Ширина | 4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
