NCV1413BDR2G, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NCV1413BDR2G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NCV1413BDR2G, Транзистор
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.638
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы Дарлингтона High Voltage High Current Darlington
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.638
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)1000
конфигурацияArray 7
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура40 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
партномер9000532458
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки2500
серияNCV1413
тип продуктаDarlington Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOIC-16
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:38:27
Ширина4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль