MUN5236DW1T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5236DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5236DW1T1G, Bipolar Transistors - ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
73
+
Бонус: 1.46 !
Бонусная программа
Итого: 73
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Dual
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:80
dc current gain hfe max:80 at 5 mA at 10 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8004738696
pd - power dissipation:187 mW
peak dc collector current:100 mA
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
series:MUN5236DW1
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
typical input resistor:100 kOhms
typical resistor ratio:1
Время загрузки1:27:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль