MUN5235T1G, MUN5235T1G NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-323
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5235T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThis series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network.
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 0.85 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| base-emitter resistor | 47kΩ |
| configuration | Single |
| длина | 2.1 mm |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | compliant |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 80 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@1mA@10mA |
| maximum collector emitter voltage | 50 V dc |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum continuous dc collector current (ma) | 100 |
| maximum dc collector current | 100 mA |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 310 mW |
| maximum power dissipation (mw) | 310 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 80@5mA@10V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 0.85 |
| package length | 02.01.2024 |
| package type | SC-70 |
| package width | 1.24 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8014883690 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 202 mW |
| пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | DTC123J |
| standard package name | SOT-323 |
| supplier package | SC-70 |
| типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| типичный коэффициент деления резистора | 0.047 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| typical input resistor | 2.2 kΩ |
| typical input resistor (kohm) | 02.02.2024 |
| typical resistor ratio | 0.047 |
| упаковка / блок | SC-70-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:14:25 |
| Ширина | 1.24 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
