Name: MUN5233DW1G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5233DW1G

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

94 ₽

– +

Бонус: 1.88 !

Бонусная программа

Итого: 94 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANS, 50V, 4.7/47KOHM, SOT363; Digital Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6 Pin; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:6Pins

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
collector- emitter voltage vceo max	50 V
configuration	Dual
continuous collector current	0.1 A
dc collector/base gain hfe min	80 at 5 mA at 10 V
dc current gain hfe max	80 at 5 mA at 10 V
dc current gain hfe min	80hFE
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant
factory pack quantity	3000
height	0.9 mm
hts	8541.21.00.95
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	6 Выводов
корпус рч транзистора	SOT-363
lead shape	Gull-wing
length	2 mm
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	50 V
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.25@1mA@10mA
maximum collector emitter voltage	50 V
maximum collector-emitter voltage (v)	50
maximum continuous dc collector current (ma)	100
maximum dc collector current	100 mA
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation	250 mW
maximum power dissipation (mw)	385
military	No
minimum dc current gain	80@5mA@10V
minimum operating temperature	-55 C
minimum operating temperature (°c)	-55
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting	Surface Mount
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
напряжение коллектор-эмиттер	50В
непрерывный коллекторный ток ic	100мА
number of elements per chip	2
package / case	SOT-363-6
package height	0.9
package length	2
package type	SOT-363
package width	1.25
packaging	Reel
партномер	8002972529
part status	Active
pcb changed	6
pd - power dissipation	187 mW
peak dc collector current	100 mA
pin count	6
полярность транзистора	Двойной NPN
полярность цифрового транзистора	Двойной NPN
power dissipation	385мВт
product category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
резистор база-эмиттер r2	47кОм
резистор на входе базы r1	4.7кОм
rohs	Details
series	MUN5233DW1
соотношение сопротивления, r1 / r2	0.1соотношение
standard package name	SC
стиль корпуса транзистора	SOT-363
supplier package	SC-88
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
type	NPN
typical input resistor	4.7 kOhms
typical input resistor (kohm)	04.07.2024
typical resistor ratio	0.1
unit weight	0.000265 oz
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Время загрузки	1:33:00
width	1.25 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MUN5233DW1G