Name: MUN5230DW1T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MUN5230DW1T1G

MUN5230DW1T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5230DW1T1G, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.016
Высота	0.9 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

97 ₽

– +

Бонус: 1.94 !

Бонусная программа

Итого: 97 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.016
Высота	0.9 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
configuration	Dual
длина	2 mm
eccn (us)	ear99
eu rohs	compliant
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	3 at 5 mA at 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	3
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.25@5mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)	50
maximum continuous dc collector current (ma)	100
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	385
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	3@5mA@10V
minimum dc current gain range	<30
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	surface mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	0.1 A
operating junction temperature (°c)	-55 to 150
packaging	Tape and Reel
партномер	8005371967
part status	active
pcb changed	6
pd - рассеивание мощности	187 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
pin count	6
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
ppap	No
размер фабричной упаковки	3000
серия	MUN5230DW1
standard package name	SOT
supplier package	SC-88
типичное входное сопротивление	1 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	ON Semiconductor
type	NPN
typical input resistor (kohm)	1
typical resistor ratio	1
упаковка / блок	SOT-363-6
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	1:28:07
Ширина	1.25 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MUN5230DW1T1G MUN5230DW1