MUN5230DW1T1G, 3@5mA,10V 250mV@10mA,5mA 2 NPN - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA SOT-363-6 Digital Transistors ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5230DW1T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.06 |
| Высота | 0.9 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Dual |
| длина | 2 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 3 at 5 mA at 10 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 3 |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@5mA@10mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum continuous dc collector current (ma) | 100 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 385 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 3@5mA@10V |
| minimum dc current gain range | <30 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8017646082 |
| part status | Active |
| pcb changed | 6 |
| pd - рассеивание мощности | 187 mW |
| пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| pin count | 6 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | MUN5230DW1 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SC-88 |
| типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
| типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| typical input resistor (kohm) | 1 |
| typical resistor ratio | 1 |
| упаковка / блок | SOT-363-6 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:07:26 |
| Ширина | 1.25 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
