MUN5214T1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5214T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5214T1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзистор NPN 10кОм/47кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
base-emitter resistor47kΩ
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current100 mA
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max80
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation310 mW
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSC-70-3
package typeSOT-323(SC-70)
packagingCut Tape or Reel
партномер8001224831
pd - power dissipation202 mW
peak dc collector current100 mA
pin count3
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
seriesMUN5214
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typical input resistor10 kOhms
typical resistor ratio0.21
Время загрузки0:14:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль