MUN5214DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5214DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5214DW1T1G, Цифровые биполярные ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
9
+
Бонус: 0.18 !
Бонусная программа
Итого: 9
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторовЦифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусSOT-363(CASE 419B)
base part numberMUN52**DW1T
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 5mA, 10V
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
mounting typeSurface Mount
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
packagingTape & Reel(TR)
партномер8926295600
part statusActive
power - max250mW
resistor - base (r1)10kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
series-
supplier device packageSC-88/SC70-6/SOT-363
transistor type2 NPN-Pre-Biased(Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 300ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки0:25:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль