MUN5214DW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 250мВт; SOT363

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5214DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5214DW1T1G, Транзистор: NPN x2 ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
19
+
Бонус: 0.38 !
Бонусная программа
Итого: 19
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANS, 50V, 10/47KOHM, SOT-363; Digital Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.21(Ratio); RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6 Pin; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:6Pins
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
base part numberMUN52**DW1T
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 5mA, 10V
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
mounting typeSurface Mount
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
packagingTape & Reel(TR)
партномер8017549122
part statusActive
power - max250mW
resistor - base (r1)10kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
series-
supplier device packageSC-88/SC70-6/SOT-363
transistor type2 NPN-Pre-Biased(Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 300ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки0:14:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль