MUN5212DW1T1G, 2 NPN - Pre-Biased 256mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5212DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5212DW1T1G, 2 NPN - Pre-Biased 256mW 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
70
+
Бонус: 1.4 !
Бонусная программа
Итого: 70
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans Digital BJT NPN 50 В 100 мА 385 мВт 6-контактный SC-88 T / R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
base-emitter resistor22kΩ
configurationDual
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25 0.3mA 10mA
maximum collector emitter voltage50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation385 mW
maximum power dissipation (mw)385
minimum dc current gain60 5mA 10V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package typeSOT-363
packagingTape and Reel
партномер8017605549
part statusActive
pcb changed6
pin count6
ppapNo
standard package nameSC
supplier packageSC-88
transistor configurationDual
transistor typeNPN
typeNPN
typical input resistor22 kΩ
typical input resistor (kohm)22
typical resistor ratio1
Время загрузки1:30:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль