MUN5135T1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5135T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5135T1G, Цифровой биполярный транзистор ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Высота0.85 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
2
+
Бонус: 0.04 !
Бонусная программа
Итого: 2
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторыЦифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Высота0.85 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
Корпусsot-323
automotiveNo
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max80
длина2.1 mm
eccn (us)EAR99
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerON Semiconductor
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.3mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)310
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain80@5mA@10V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseSC-70-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8129871695
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation202 mW
pd - рассеивание мощности202 mW
peak dc collector current100 mA
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
размер фабричной упаковки3000
seriesMUN5135
серияMUN5135
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier packageSC-70
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.047
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityPNP
typePNP
typical input resistor2.2 kOhms
typical input resistor (kohm)02.02.2024
typical resistor ratio0.047
упаковка / блокSC-70-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:25:29
Ширина1.24 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль