MUN5135DW1T1G, 80@5mA,10V 2 PNP PreBiased 250mW 100mA 50V 500nA SC886 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5135DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5135DW1T1G, 80@5mA,10V 2 PNP PreBiased ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80 at 5 mA at 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8022393809
pd - рассеивание мощности250 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки3000
серияMUN5135DW1
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.047
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-88-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:14:45
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль