MUN5133DW1T1G, 80@5mA,10V 2 PNP PreBiased 250mW 100mA 50V 500nA SOT363 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5133DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5133DW1T1G, 80@5mA,10V 2 PNP PreBiased ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
33
+
Бонус: 0.66 !
Бонусная программа
Итого: 33
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationDual
continuous collector current-0.1 A
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max80 at 5 mA at 10 V
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-88-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8013325731
pd - power dissipation250 mW
peak dc collector current100 mA
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
seriesMUN5133DW1
subcategoryTransistors
transistor polarityPNP
typical input resistor4.7 kOhms
typical resistor ratio0.1
Время загрузки0:14:45
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль