MUN5111T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MUN5111T1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Trans Digital BJT PNP 50 В 100 мА 310 мВт 3-контактный SC-70 T / R
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.03
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
automotive
No
configuration
Single
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape
Gull-wing
maximum collector-emitter saturation voltage (v)
0.25 0.3mA 10mA
maximum collector-emitter voltage (v)
50
maximum continuous dc collector current (ma)
100
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
310
minimum dc current gain
35 5mA 10V
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
packaging
Tape and Reel
партномер
8006208648
part status
Active
pcb changed
3
pin count
3
ppap
No
standard package name
SOT
supplier package
SC-70
type
PNP
typical input resistor (kohm)
10
typical resistor ratio
1
Время загрузки
1:28:20
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26