MUN5111DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MUN5111DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN5111DW1T1G, Цифровые биполярные ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторовЦифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусSOT363-6
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationDual
continuous collector current-0.1 A
dc collector/base gain hfe min35
dc current gain hfe max35 at 5 mA at 10 V
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-88-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8743324477
pd - power dissipation250 mW
peak dc collector current100 mA
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
seriesMUN5111DW1
subcategoryTransistors
transistor polarityPNP
typical input resistor10 kOhms
typical resistor ratio1
Время загрузки0:25:03
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль