MUN2216T1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MUN2216T1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Высота
1.09 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
2.9 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
160
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
непрерывный коллекторный ток
100 mA
партномер
8001228783
pd - рассеивание мощности
338 mW
пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
размер фабричной упаковки
3000
серия
MUN2216
типичное входное сопротивление
4.7 kOhms
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
SC-59
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:31:40
Ширина
1.5 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26