Name: MUN2215T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Single NPN, 50 В, 100 мА
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MUN2215T1G

MUN2215T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Single NPN, 50 В, 100 мА

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MUN2215T1G, Биполярный цифровой/смещение ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	100
Высота	1.09 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

10 ₽

– +

Бонус: 0.2 !

Бонусная программа

Итого: 10 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные ТранзисторыБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	100
Высота	1.09 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max	50 V
configuration	Single
continuous collector current	100мА
dc collector/base gain hfe min	160
dc current gain hfe min	160hFE
длина	2.9 mm
factory pack quantity	3000
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	160
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer	ON Semiconductor
maximum operating temperature	+150 C
минимальная рабочая температура	55 C
minimum operating temperature	-55 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting style	SMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
package / case	SC-59
packaging	Cut Tape or Reel
партномер	8008490912
pd - power dissipation	338 mW
pd - рассеивание мощности	338 mW
peak dc collector current	100 mA
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	Single NPN
power dissipation	338мВт
product category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
размер фабричной упаковки	3000
series	MUN2215
серия	MUN2215
стиль корпуса транзистора	SC-59
subcategory	Transistors
типичное входное сопротивление	10 kOhms
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	ON Semiconductor
transistor polarity	NPN
typical input resistor	10 kOhms
упаковка / блок	SC-59
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	0:16:32
Ширина	1.5 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MUN2215T1G MUN2215