Name: MT3S113P(TE12L,F)
Brand: Toshiba

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba MT3S113P(TE12L,F)

Подробное описание

310 ₽

– +

Бонус: 6.2 !

Бонусная программа

Итого: 310 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - RFРЧ транзистор NPN 5,3 В 100 мА 7,7 ГГц 1,6 Вт для поверхностного монтажа PW-MINI

Дата загрузки	12.02.2024
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	RN4903 ->
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	200 @ 30mA, 5V
eccn	EAR99
frequency - transition	7.7GHz
gain	10.5dB
htsus	8541.29.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
noise figure (db typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	TO-243AA
партномер	8005734233
power - max	1.6W
rohs status	RoHS Compliant
supplier device package	PW-MINI
transistor type	NPN
voltage - collector emitter breakdown (max)	5.3V
Время загрузки	23:56:48

Отзывов нет

Кнопки

Теги: