MSD602-RT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MSD602-RT1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1.09 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
63
+
Бонус: 1.26 !
Бонусная программа
Итого: 63
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1.09 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
партномер8008461045
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияMSD602-RT1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-59-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:32:24
Ширина1.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль