MSD602-RT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MSD602-RT1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.008
Высота
1.09 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
2.9 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
партномер
8005371880
pd - рассеивание мощности
200 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
размер фабричной упаковки
3000
серия
MSD602-RT1
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
SC-59-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:32:22
Ширина
1.5 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26