MSD1819A-RT1G, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MSD1819A-RT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MSD1819A-RT1G, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота0.85 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
69
+
Бонус: 1.38 !
Бонусная программа
Итого: 69
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота0.85 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)210
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8001229676
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияMSD1819A-R
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-70-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:32:28
Ширина1.24 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль