MRFX035HR5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
Вес и габариты
другие названия товара №935376627178
id - непрерывный ток утечки100 mA
категория продуктаРЧ МОП-транзисторы
16 460
+
Бонус: 329.2 !
Бонусная программа
Итого: 16 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
Вес и габариты
другие названия товара №935376627178
id - непрерывный ток утечки100 mA
категория продуктаРЧ МОП-транзисторы
количество каналов1 Channel
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
pd - рассеивание мощности154 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
рабочая частота1.8 MHz to 512 MHz
размер фабричной упаковки50
серияMRFX035H
технологияSi
тип продуктаRF MOSFET Transistors
торговая маркаNXP Semiconductors
ТипRF Power MOSFET
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокNI-360H-2SB
усиление24.8 dB
vds - напряжение пробоя сток-исток193 V
vgs - напряжение затвор-исток6 V, 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.7 V
вид монтажаScrew Mount
выходная мощность35 W
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль