РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
Вес и габариты
другие названия товара №
935376627178
id - непрерывный ток утечки
100 mA
категория продукта
РЧ МОП-транзисторы
количество каналов
1 Channel
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
40 C
pd - рассеивание мощности
154 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
рабочая частота
1.8 MHz to 512 MHz
размер фабричной упаковки
50
серия
MRFX035H
технология
Si
тип продукта
RF MOSFET Transistors
торговая марка
NXP Semiconductors
Тип
RF Power MOSFET
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
NI-360H-2SB
усиление
24.8 dB
vds - напряжение пробоя сток-исток
193 V
vgs - напряжение затвор-исток
6 V, 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.7 V
вид монтажа
Screw Mount
выходная мощность
35 W
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26