MRFE6VP5150GNR1, РЧ полевой транзистор, 139 В, 952 Вт, 1.8 МГц, 600 МГц, TO-270WB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MRFE6VP5150GNR1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP MRFE6VP5150GNR1, РЧ полевой транзистор ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
6 940
+
Бонус: 138.8 !
Бонусная программа
Итого: 6 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\РЧ Полевые Транзисторы• RF power LDMOS transistor• Wide operating frequency range from 1.8 to 600MHz• Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization• Integrated ESD protection circuitry• Integrated stability enhancements• Low thermal resistance• High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
channel typeN Channel
чувствительный к влажностиYes
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
корпус рч транзистораTO-270WB
максимальная рабочая частота600МГц
максимальная рабочая температура225°C
минимальная рабочая частота1.8МГц
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds139В
партномер8000901869
power dissipation952Вт
рассеиваемая мощность952Вт
стиль корпуса транзистораTO-270WB
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 3-168 часов
Время загрузки1:20:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль