MRF10031, RF Bipolar Transistors Transistor,960- 1215MHz,38V,9pk

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MRF10031
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) MACOM MRF10031, RF Bipolar Transistors ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMACOM
БрендMACOM
53 110
+
Бонус: 1062.2 !
Бонусная программа
Итого: 53 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF TransistorsРЧ-транзистор NPN 55V 3A 30W Монтаж на шасси 332A-03, стиль 2
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMACOM
БрендMACOM
Основные
collector- emitter voltage vceo max:55 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
current - collector (ic) (max)3A
dc collector/base gain hfe min:20
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 500mA, 5V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:3.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:20
gain9.5dB
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:MACOM
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating frequency:1.215 GHz
operating temperature200В°C (TJ)
packageTray
package / case332A-03
package / case:332A-3
партномер8004655573
pd - power dissipation:110 W
power - max30W
product category:RF Bipolar Transistors
product type:RF Bipolar Transistors
rohs statusROHS3 Compliant
subcategory:Transistors
supplier device package332A-03, Style 2
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
transistor type:Bipolar Power
type:RF Bipolar Power
voltage - collector emitter breakdown (max)55V
Время загрузки2:16:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль