MPQ2222 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MPQ2222 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central MPQ2222 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
1 550
+
Бонус: 31 !
Бонусная программа
Итого: 1 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзисторный массив 4 NPN (Quad) 40 В 500 мА 200 МГц 650 мВт сквозное отверстие TO-116
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Quad
continuous collector current:500 mA
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:300
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:25
frequency - transition200MHz
gain bandwidth product ft:200 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / case14-DIP (0.300"", 7.62mm)
package / case:TO-116
packaging:Tube
партномер8005050186
pd - power dissipation:1.9 W
power - max650mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-116
transistor polarity:NPN
transistor type4 NPN (Quad)
vce saturation (max) @ ib, ic1.6V @ 30mA, 300mA
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки0:22:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль