MMUN2238LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; 2,2кОм
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2238LT1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.1 |
| Высота | 0.94 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- emitter voltage vceo max | 50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 160 |
| dc current gain hfe max | 160 |
| длина | 2.9 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| hts | 8541.21.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 160 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@1mA@10mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum continuous dc collector current (ma) | 100 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 400 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 160@5mA@10V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| package / case | SOT-23-3 |
| package height | 0.94 |
| package length | 02.09.2024 |
| package width | 01.03.2024 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8017548753 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 246 mW |
| pd - рассеивание мощности | 246 mW |
| peak dc collector current | 100 mA |
| пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| series | MMUN2238L |
| серия | MMUN2238L |
| standard package name | SOT |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| typical input resistor | 2.2 kOhms |
| typical input resistor (kohm) | 02.02.2024 |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:19:15 |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
