MMUN2233LT1G, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2233LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2233LT1G, Цифровой биполярный транзистор ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторыЦифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусSOT-23-3
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current:0.1 A
dc collector/base gain hfe min:80, 200
dc current gain hfe max:80
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SOT-23-3
партномер8001916385
pd - power dissipation:246 mW
peak dc collector current:100 mA
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
series:MMUN2233L
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
typical input resistor:4.7 kOhms
typical resistor ratio:0.1
Время загрузки0:25:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль