MMUN2231LT1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2231LT1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.008 |
Высота | 0.94 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
configuration | Single |
continuous collector current | 100мА |
dc current gain hfe min | 8hFE |
длина | 2.9 mm |
eccn (us) | EAR99 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 8 |
количество выводов | 3 Вывода |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8, 15 |
конфигурация | Single |
корпус рч транзистора | SOT-23 |
квалификация | AEC-Q101 |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@5mA@10mA |
maximum collector emitter voltage | 50 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
maximum continuous dc collector current (ma) | 100 |
maximum dc collector current | 100 mA |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 400 mW |
maximum power dissipation (mw) | 400 |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 8@5mA@10V |
minimum dc current gain range | <30 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение коллектор-эмиттер | 50В |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
непрерывный коллекторный ток ic | 100мА |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
package type | SOT-23 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8005526330 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 246 mW |
пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
полярность цифрового транзистора | Одиночный NPN |
power dissipation | 400мВт |
ppap | No |
размер фабричной упаковки | 3000 |
резистор база-эмиттер r2 | 2.2кОм |
резистор на входе базы r1 | 2.2кОм |
серия | MMUN2231L |
соотношение сопротивления, r1 / r2 | 1соотношение |
standard package name | SOT |
стиль корпуса транзистора | SOT-23 |
supplier package | SOT-23 |
типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
типичный коэффициент деления резистора | 1 |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Single |
transistor type | NPN |
type | NPN |
typical input resistor | 2.2 kΩ |
typical input resistor (kohm) | 02.02.2024 |
typical resistor ratio | 1 |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:31:51 |
Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26