MMUN2231LT1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2231LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2231LT1G, Bipolar Transistors - ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
continuous collector current100мА
dc current gain hfe min8hFE
длина2.9 mm
eccn (us)EAR99
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.8
количество выводов3 Вывода
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8, 15
конфигурацияSingle
корпус рч транзистораSOT-23
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@5mA@10mA
maximum collector emitter voltage50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation400 mW
maximum power dissipation (mw)400
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain8@5mA@10V
minimum dc current gain range<30
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер50В
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
непрерывный коллекторный ток ic100мА
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package typeSOT-23
packagingTape and Reel
партномер8005526330
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности246 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
полярность цифрового транзистораОдиночный NPN
power dissipation400мВт
ppapNo
размер фабричной упаковки3000
резистор база-эмиттер r22.2кОм
резистор на входе базы r12.2кОм
серияMMUN2231L
соотношение сопротивления, r1 / r21соотношение
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-23
supplier packageSOT-23
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
typical input resistor2.2 kΩ
typical input resistor (kohm)02.02.2024
typical resistor ratio1
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:31:51
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль