MMUN2230LT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2230LT1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
continuous collector current100мА
continuous collector current:0.1 A
dc collector/base gain hfe min:3
dc current gain hfe max:3
dc current gain hfe min3hFE
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3 Вывода
корпус рч транзистораSOT-23
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер50В
непрерывный коллекторный ток ic100мА
package/case:SOT-23-3
партномер8022871896
pd - power dissipation:246 mW
peak dc collector current:100 mA
полярность транзистораSingle NPN
полярность цифрового транзистораОдиночный NPN
power dissipation400мВт
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
резистор база-эмиттер r21кОм
резистор на входе базы r11кОм
series:MMUN2230L
стиль корпуса транзистораSOT-23
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
typical input resistor:1 kOhms
typical resistor ratio:1
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:18:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль