MMUN2213LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 47кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2213LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2213LT1G, Транзистор: NPN, биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max80
factory pack quantity3000
height0.94 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2.9 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8017537960
pd - power dissipation246 mW
peak dc collector current100 mA
pin count3
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
rohsDetails
seriesMMUN2213L
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typical input resistor47 kOhms
typical resistor ratio1
unit weight0.050717 oz
Время загрузки0:18:53
width1.3 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль