MMUN2132LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2132LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2132LT1G, Транзистор PNP, биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.15
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum operating temperature+150 °C
минимальная рабочая температура55 C
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8017539273
pd - рассеивание мощности246 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки3000
серияMMUN2132L
типичное входное сопротивление4.7 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typical input resistor4.7 kΩ
typical resistor ratio1
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:18:24
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль