MMUN2115LT1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2115LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2115LT1G, Bipolar Transistors - ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
37
+
Бонус: 0.74 !
Бонусная программа
Итого: 37
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans Digital BJT PNP 50 В 100 мА 400 мВт 3-контактный SOT-23 T / R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector current0.1A
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
manufacturerONSEMI
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@1mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)400
minimum dc current gain160@5mA@10V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
packagingTape and Reel
партномер8005371837
part statusActive
pcb changed3
pin count3
power dissipation0.246W
ppapNo
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
typePNP
typical input resistor (kohm)10
Время загрузки1:32:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль