MMUN2114LT1G, Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2114LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2114LT1G, Trans Digital BJT PNP 50V 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTЦифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max80
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8003310802
pd - power dissipation246 mW
peak dc collector current100 mA
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
seriesMMUN2114L
subcategoryTransistors
transistor polarityPNP
typical input resistor10 kOhms
typical resistor ratio0.21
Время загрузки0:16:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль