MMUN2112LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMUN2112LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2112LT1G, Транзистор: PNP, биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMDБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.60
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8002567193
pd - рассеивание мощности246 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки3000
серияMMUN2112L
типичное входное сопротивление22 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:17:48
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль