MMUN2111LT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMUN2111LT1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min35
dc current gain hfe max35
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation338 mW
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8008547290
pd - power dissipation246 mW
peak dc collector current100 mA
pin count3
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
seriesMMUN2111L
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
typical input resistor10 kOhms
typical resistor ratio1
Время загрузки0:17:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль