Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT -80V 200mW

Подробное описание

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	2.2 mm
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
непрерывный коллекторный ток	0.5 A
pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	50 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	MMSTA
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-323-3
вес, г	0.005
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.35 мм

Отзывов нет

Кнопки

MMSTA56-7-F