MMSTA42-7-F, Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMSTA42-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMSTA42-7-F, Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 200mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
47
+
Бонус: 0.94 !
Бонусная программа
Итого: 47
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 300V 200mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина2.2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
maximum collector base voltage300 V
maximum collector emitter voltage300 V
maximum dc collector current200 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation200 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain40
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.2 A
number of elements per chip1
package typeSOT-323(SC-70)
партномер8001056881
pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияMMSTA
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-323-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки21:58:50
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль