MMST5551-7-F, Транзистор: NPN; биполярный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMST5551-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMST5551-7-F, Транзистор: NPN; биполярный
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
25
+
Бонус: 0.5 !
Бонусная программа
Итого: 25
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberMMST5551 ->
collector-emitter breakdown voltage160V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
длина2.2 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition300MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
maximum base emitter saturation voltage (v)1 5mA 50mA|1 1mA 10mA
maximum collector base voltage180 V
maximum collector base voltage (v)180
maximum collector cut-off current (na)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2 5mA 50mA|0.15 1mA 10mA
maximum collector emitter voltage160 V
maximum collector-emitter voltage (v)160
maximum dc collector current200mA
maximum dc collector current (a)0.2
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation200 mW
maximum power dissipation (mw)200
maximum transition frequency (mhz)300
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain30 50mA 5V|80 10mA 5V|80 1mA 5V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.160 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
непрерывный коллекторный ток200 mA
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
package typeSOT-323(SC-70)
packagingTape and Reel
партномер8020678595
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation200mW
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max200mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияMMST5551
standard package nameSOT-323
supplier device packageSOT-323
supplier packageSOT-323
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)160V
Время загрузки21:58:28
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль