MMST5551-7-F, Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMST5551-7-F
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 1 mm |
Высота | 1 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
automotive | No |
base product number | MMST5551 -> |
collector-emitter breakdown voltage | 160V |
configuration | Single |
current - collector cutoff (max) | 50nA (ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 200mA |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 10mA, 5V |
длина | 2.2 mm |
eccn | EAR99 |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant |
frequency - transition | 300MHz |
htsus | 8541.21.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 250 |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1 5mA 50mA|1 1mA 10mA |
maximum collector base voltage | 180 V |
maximum collector base voltage (v) | 180 |
maximum collector cut-off current (na) | 50 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.2 5mA 50mA|0.15 1mA 10mA |
maximum collector emitter voltage | 160 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 160 |
maximum dc collector current | 200mA |
maximum dc collector current (a) | 0.2 |
maximum emitter base voltage | 6 V |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating frequency | 300 MHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 200 mW |
maximum power dissipation (mw) | 200 |
maximum transition frequency (mhz) | 300 |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 30 50mA 5V|80 10mA 5V|80 1mA 5V |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 180 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 160 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | SC-70, SOT-323 |
package type | SOT-323(SC-70) |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8003305791 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 200mW |
pd - рассеивание мощности | 200 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 200mW |
ppap | No |
product category | Bipolar Small Signal |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
серия | MMST5551 |
standard package name | SOT-323 |
supplier device package | SOT-323 |
supplier package | SOT-323 |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Diodes Incorporated |
transistor configuration | Single |
transistor type | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-323-3 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 160V |
Время загрузки | 21:58:31 |
Ширина | 1.35 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26