MMST5401Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMST5401Q-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMST5401Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT SS ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г18
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS Hi Voltage Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г18
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток200 mA
партномер8005060138
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияMMST5401
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-323-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:25:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль