MMST5401-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMST5401-7-F
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberMMST5401 ->
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce60 @ 10mA, 5V
длина2.2 mm
eccnEAR99
frequency - transition300MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
maximum collector base voltage-160 V
maximum collector emitter voltage-150 V
maximum dc collector current-200 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation200 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain60
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток200 mA
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
package typeSOT-323(SC-70)
партномер8006696369
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияMMST5401
supplier device packageSOT-323
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)150V
Время загрузки22:25:26
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль