Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT -25V 200mW

Подробное описание

86 ₽

– +

Бонус: 1.72 !

Бонусная программа

Итого: 86 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	2.2 mm
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	360
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	25 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
непрерывный коллекторный ток	0.2 A
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	250 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	MMST41
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-323-3
вес, г	0.005
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.35 мм

Отзывов нет

Кнопки

MMST4126-7-F